Кремний на изоляторе

    Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров 
    Существует несколько технологий получения таких структур. Нами выбрана технология ионного внедрения так же известна как ионная имплантация. Нами изучаются влияние параметров ионной имплантации на процесс твердофазной рекристаллизации кремния в структурах КНИ.
    Нами совместно с лабораторией взаимодействия ионов с веществом и лабораторией ускорительных установок ведется исследовательско-поисковая работа по использования этих свойств в реальных устройствах.