Ионная имплантация


 При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д.    
    Исследования и эксперименты по ионной имплантации проводятся нами на ускорителе HVEE-500. 

    Основные характеристики установки:
  • энергия ионов до 500 кэВ для однозарядных ионов,    
  • широкий диапазон масс ионов (от 1 до 250 а.е.м.),    
  • высокая стабильность источника высокого напряжения,    
  • малая расходимость и малый разброс по     энергиям пучка ионов,    
  • хорошо отсепарированный пучок ионов,   
  • диаметр легируемых пластин – до 100 мм.

Полезные ссылки:
http://en.wikipedia.org/wiki/Ion_implantation